Rezultati pretrage za: poluprovodnički mediji
Poluprovodnici
SKA FIZIKA ČVRSTOG TIJELA”, Elektronski fakultet Niš, 2010/11; 3. Marinkov, Lazar, Ištvan, Bikit, Slivka, J., Aničin, Ivan: “OSNOVI NUKLEARNE FIZIKE” 4. Prijić, Zoran, Prijić, Aneta: “UVOD U POLUPROVODNIČKE KOMPONENTE I...
Poluprovodnici
luprovodnici su nešto izmedju izolatora i provodnika. Poluprovodnici se umereno suprotstavljaju nosiocu elektriciteta. Najvazniji poluprovodnicki materijali su: silicijum (Si), germanijum (Ge) i galijum arsenid (GaAs). Poluprovodnici cine osnov savremene elektronike....
Poluprovodnici sa primesama
1 Poluprovodnici sa primesama Poluprovodnici se mogu podeliti na dve osnovne grupe: sopstvene i primesne. Sopstveni poluprovodnici su potpuno čisti materijali, dok se kod primesnih poluprovodnika u kristalnu rešetku ubacuju...
Poluprovodnici u funkciji transformacije električne energije u svetlosnu
rsenid (GaAs). Poluprovodnici čine osnov savremene elektronike. Poluprovodnici su materijali sa manjim brojem slobodnih naelektrisanja (elektrona i šupljina). Unošenjem malih količina nečistoća u kristal poluprovodnika on mijenja električne osobine i...
Poluprovodnici
zonu i učestvuje u provođenju električne struje kroz poluprovodnik. Slika 4. Provodnik i poluprovodnik koji imaju isti Fermijev nivo Poluprovodnici se mogu po
Poslovna komunikacija
38 Pravila verbalne komunikacije 41 Neverbalna komunikacija 41 Elementi neverbalne komunikacije 42 Timovi i grupe
Laseri – princip rada i vrste lasera
sa lavinskim probojem. Injekcioni laseri mogu biti homostrukturni i heterostrukturni, u zavisnosti od toga da li se za ostvarenje p-n prelaza koristi jedan ili više poluprovodnika. 4.2.2.2 Injekcioni p-n laser...
Poluprovodnici
Većina savremenih elektronskih komponenata izrađuje se od poluprovodničkih materijala. Iz ekonomskih i tehnoloških razloga za proizvodnju se najviše koristi silicijum (Si). Istraživanja poluprovodničkih jedinjenja su vrlo aktuelna, s obzirom da...
Poluprovodnicki laseri
jih je procep 1.43 eV. Indijum-fosfid, InP sa procepom od 1.35 eV koristi se za postizanje talasnih dužina od 1.5 μm, u strukturi sa InP/InGaAsP. GaN ima energetski procep od...
Greška pri učitavanju. Pokušajte ponovo.