POLUPROVODNIČKI SENZORI U KONTROLI KVALITETA

1

 

Hemijskim senzorom

  se uopšteno definiše mikrofabrikovani element sa hemijski 

osetljivom   prevlakom,   koji   pri   izlaganju   kontaminaciji,   daje   reproduktivan 
električni   signal.  

Pretvarač

  je   u   neposrednom   kontaktu   sa   prevlakom   i   daje 

odgovarajući signal kao odziv na promenu jednog ili više hemijskih ili fizičkih 
svojstava prevlake. Prevlaka je u kontaktu sa medijumom u kome treba detektovati 
određenu   supstancu.   Na   taj   način,   priroda   promene   koja   je   rezultat   interakcije 
prevlake i analizirane supstance, određuje tip pretvarača, tj.koje fizičke mehanizme 
prenosa treba koristiti [1]. 

Zadatak   hemijskih senzora je da hemijsku ili biološku informaciju pretvore u 
koristan signal. Pretvaranje je teže nego kod senzora fizičkih veličina.Zbog toga je 
i   tehnologija   izrade   komplikovanija,   posebno   kada   se   povezuju   organski   ili 
neorganski materijali ili kada se kombimuju hemijski, biološki ili fizički principi. 
Osnovni delovi senzora su:

receptor

  (hemijska   prevlaka,   coating)   tj.  selektivni   prijemnik   fizičko-

hemijskog poremećaja

pretvarač

  (   eng.   transducer)   -  specificni   prenosnik   signala   u   realnom 

vremenu

Slika 1:

 Načini pretvaranja signala kod biosenzora

POLUPROVODNIČKI SENZORI U KONTROLI KVALITETA

2

Prema definiciji IUPAC-a  iz 1991. hemijski senzor je uređaj koji transformiše 
hemijsku   veličinu   (od   koncentracije   određene   vrste   u   analitu   do   ukupnog 
hemijskog sastava analita) u analitički koristan signal.  [2]

Osnovni   zahtevi

  koji   se   postavljaju   pred   nove   generacije   senzora   za   detekciju 

polutanata su:

niska cena za masovnu proizvodnju

mogućnost rada bez operatora i održavanja

mala potrošnja energije

visoka osetljivost i selektivnost pri niskim koncentracijama

mikroelektronska kompatibilnost

Možemo reći da   senzori pored navedenih moraju još da ispune i sledeće  

uslove 

kako bi bili praktični za upotrebu za kontrolu kvaliteta vazduha i bezbedonosne 
primene. [3]

Pri izboru senzora za upotrebu za datu primenu,

 sledeći faktori  se

trebaju uzeti u obzir:

o

Definisanje koji cilj pokušavamo da postignemo 

i definisanje

specifikacija instrumenta koji ispunjava minimalne zahteve. Specifikacije
trebaju definisati gasove i opsege senzora. Opsezi ili koncentracija gasova koji
se mere treba biti 3 do 5 puta veća od stvarne koncentracije za monitoring. Kao
i kod voltmetra, uvek moramo izabrati veći opseg od merenog napona. Na
primer, izbor 50-voltnog mernog opsega za 12-voltnu bateriju.

o

Određivanje 

ambijentalnih gasova 

u području koje se nadgleda. U

slučajevima kada se ambijentalni gasovi ne mogu odrediti, reprezentativni

background image

POLUPROVODNIČKI SENZORI U KONTROLI KVALITETA

4

mogu se dobiti mali hemijski detektori, po veličini i ceni uporedivi sa džepnim 
računarima. 

Konkretna veličina koja biva pretvorena u električni signal i/ili princip konverzije 
najčešće   definišu     konačni   naziv   senzora   koji   se   koristi   u   praksi,   npr.hemijski 
senzori za detekciju gasova se obično nazivaju gasni senzori, senzori za detekciju 
vlage se nazivaju samo senzori vlage itd. U skladu sa gore navedenim ako senzor 
detektuje neku biološku veličinu, npr.šećer, proteine u rastvorima...onda govorimo 
o biosenzorima. 

U   literaturi   se   često   prepliću   pojmovi   hemijskog   i   biosenzora,   tj.biohemijskog 
senzora.   Jedna   od   najčešće   citiranih   definicija   za   biosenzor   glasi:biosenzori   su 
podgrupa   hemijskih   senzora   gde   je   element   koji   se   detektuje   biološki   aktivan 
materijal:enzim, antitelo, tkivo, ćelija, organele...[1,2]

POLUPROVODNIČKI SENZORI U KONTROLI KVALITETA

5

Slika 2:

 

Izbor analizatora i monitora u zavisnosti od vrste gasa koji se  detektuje

background image

POLUPROVODNIČKI SENZORI U KONTROLI KVALITETA

7

Tabela 1:

  

Klasifikacija XZY struktura

X sloj

Y sloj

Metal
(M)
MOS strukture

Elektrolit
(E)
EOS strukture

Gas
(G)
GOS strukture

KLASIČNI 
IZOLATOR, 
d>5nm

MOS:

kondenzator 
MOS

tranzistor 
MOSFET

EOS:

kondenzator 
EOS

tranzistor 
ISFET

GOS:

kondenzator 
GOS

tranzistori 
OGFET, 
ADFET

SLOJ

 

SA 

TUNELSKIM 
EFEKTOM 
d<5nm

MiS:

tunelska 
dioda

EiS:

tunelska 
dioda

GiS

tunelska dioda

Šotkijeva dioda

IZOLATORSKI 
SLOJ 
IZOSTAVLJEN 
d=0

MS:

Šotkijeva 
dioda MS

prekidačka 
dioda

ES:

otpornik 
(direktan 
kontakt 
elektrolita   i 
poluprovodn
ika)

GS:

otpornik 
(direktan 
kontakt   gasa   i 
poluprovodnia)

elektrohemijski

površinski 
ultrazvučni 
SAW

Centralno pitanje u razvoju hemijskih senzora je kako postići i unaprediti njihovu 
selektivnost.   Najčešće   se   selektivnost   postiže   ugrađivanje   stabilne,   hemijski 
aktivne prevlake koja je osetljiva na neke od efekata hemijske ili biohemijske 
reakcije. Za funkcionisanje mikrosenzora odlučujuću ulogu ima hemija prevlake. 
Međutim ova oblast zahteva poznavanje fizike, elektronike, nauke o osobinama 
materijala, elektrohemije, hemij polimera itd. To je inhibirajući faktor u razvoju 
hemijskih senzora ali se može prevazići povezivanjem pojedinih disciplina i radom 
u multidisciplinarnim istraživačkim grupama. 

Želiš da pročitaš svih 37 strana?

Prijavi se i preuzmi ceo dokument.

Ovaj materijal je namenjen za učenje i pripremu, ne za predaju.

Slični dokumenti