VISOKO HEMIJSKO TEHNOLOŠKA ŠKOLA

STRUKOVNIH STUDIJA KRUŠEVAC

SEMINARSKI RAD

Predmet

Arhitektura računara

Tema

Unutrašnje memorije računara

Profesor:

Student:

dr. Bratislav Blagojević Lazar Simić - 75

Sadržaj:

Najkraći vremenski period koji mora proteći između dva uzastopna obraćanja

memorijskom modulu naziva se

vreme pristupa

. Kod memorija sa destruktivnim

čitanjem ovo vreme se naziva i

vreme memorijskog ciklusa

s obzirom da je

neophodno izvršiti i čitanje i upisivanje sadržaja ćelije.

1.1 Mogući način pristupa memorija

Sa aspekta pristupa memorijskoj ćeliji razlikuju se memorijski moduli sa :



sekvencijalnim (serijskim) pristupom



cikličnim (periodičnim) pristupom



slučajnim (proizvoljnim) pristupom



asocijativnim pristupom

Kod memorija sa

sekvencijalnim pristupom

kada se pristupi ćeliji sa adresom

'i'

u narednom pristupu je mogućno obratiti se samo ćeliji sa adresom

'i+1'

ili

'i-1'.

ovu klasu spadaju memorijske jedinice koje za medijume koriste trake (bušena
papirna traka, magnetska traka, hard disk , kompakt diks (cd i dvd), flopi disketa...

Ciklični pristup

predstavlja modifikaciju sekvencijalnog pristupa i ogleda se u

tome da se svaka ćelija, nezavisno od potrebe pristupa, periodički nalazi u stanju da
joj se može pristupiti. Memorijske jedinice ovog tipa su jedinice sa rotirajućim
medijumom (magnetni diskovi), kao i memorije realizovane na bazi linija za
kašnjenje.

Kod memorija sa

slučajnim pristupom

moguće je u bilo kom trenutku pristupiti

bilo kojoj ćeliji čija adresa pripada skupu adresa datog memorijskog modula.

Kod memorija sa

asocijativnim

pristupom omogućeno je poređenje između

posebne maske i vrednosti određenih pozicija bitova u reči, te se iz takve memorije
reč čita na osnovu sadržaja (keš memorija).

1.2Mogućnost promene sadržaja memorija

Sa aspekta mogućnosti izmene sadržaja memorijske lokacije mogućno je

memorije klasifikovati kao:



promenljive memorije

(nema ograničenja u pogledu izmene sadržaja loka-

cija)



polupromenljive memorije

(sadržaj se ne može menjati normalnim postup-

kom, već samo posebnim postupcima u laboratorijama)



stalne memorije

(sadržaj se formira u toku procesa proizvodnje i ni pod kojim

uslovima se ne može menjati

)

1.3 Organizacija memorije

Sa logičke tačke gledišta, memorija je organizovana kao matrica ćelija, pri čemu

se u jednu ćeliju može upisati jedna binarna cifra, tj. jedan bit. Ćelije su grupisane po
redovima matrice.

Slika br.1 organizacija memorije

Svaki red u matričnom memorijskom polju ima svoju adresu pomoću koje se ta
lokacija može adresirati, radi upisa ili čitanja informacije. Svaki red matrice na slici
ima po 16 bita.

Postoje dva tipa organizacije memorije:

dvodimenzionalna

trodimenzionalna

organizacija

U dvodimenzionalnoj memoriji elementi su poređani jedan do drugog, tako da

niz tako poređanih elemenata (jedan red) čini jednu reč. Memorijski elementi
svrstani u vertikalne kolone čine bite iste težine u različitim rečima. Jednu dimenziju
čine adrese lokacija, a drugu dužina reči. Nedostatak je što je potreban veliki broj
vodova za selekciju reči, odnosno onoliko vodova za selekciju koliko ima reči.

Slika 3: Trodimenzionalna organizacija

Prednosti dvodimenzionalne i trodimenzionalne memorije su da one omo-

gućavaju slučajan pristup svakom podatku. One se stoga, nazivaju memorijama sa
slučajnim pristupom.

1.4Fizički tip medijuma memorije

Zavisno od medijuma na kome se informacija pamti, najčešće se koriste

poluprovodničke

(najviše su u upotrebi; napravljene u LSI ili VLSI tehnologiji),

memorije sa

magnetnom površinom

(diskovi, trake,...)

memorije koje koriste

optičku tehnologiju

(CD-ROM, DVD…).

Magnetne  i   optičke  memorije  se  uglavnom  koriste  za   memorisanje  velikog
broja   digitalnih   informacija.   Vreme   upisa   i   čitanja   informacija   u   ovim
memorijama   je   relativo   dugačko,   zbog   neophodnih   mehaničkih   pomeranja
diska   ili   trake.   Magnetne   i   optičke   memorije   pripadaju   klasi

postojanih

memorija

(

nonvolatile memory

) jer infomacija ostaje zapisana i kada se isključi

električno napajanje

1.5 Karakteristike i parametri memorija

Za opis karakteristika memorije koristi se više različitih parametara od

kojih su osnovni sledeći



kapacitet memorije –

broj bajtova ili bitova koji se mogu zapamtiti

na memoriji;



vreme pristupa ili kašnjenje –

vremenski interval koji protekne od

dovođenja signala za definisanje pristupa do završetka upisa ili
čitanja;



memorijski ciklus –

minimalni dozvoljen vremenski interval

između dva uzastopna pristupa memoriji. Memorijski ciklus
nemože biti kraći od vremena pristupa, a obično je nešto duži od
njega;



jedinica prenosa –

za operativnu memoriju jedinica prenosa je

memorijska reč, tj.broj bitova koji se istovremeno čita ili upisuje;



brzina prenosa podataka –

broj bitova, bajtova ili memorijskih

reči koje uređaj može preneti u jednoj sekundi posle postavljanja
upisno-čitajuće glave na početak bloka ili segmenta podataka;



cena 1 bita memorije –

odnos ukupne cene memorije prema

kapacitetu memorije

2.Unutrašnje (poluprovodničke memorije )

Podela poluprovodničkih memorija:

Slika br.4 podela poluprovodničkih memorija

Slika br.6 upravljanje ram

memorije

Slika br.7 ROM memorijski čip

Slika br.8 ROM memorija na matričnoj ploči

Tip memorije

Kategorija

Način brisanja

Način upisa

Mask ROM

Read-only

Nije moguće

Utiskivanje u

silicijum

PROM

Read-only

Nije moguće

Elektronskim putem

EPROM

Read-mostly

UV svetlo

Elektronskim putem

EEPROM

Read-mostly

Elektronsko,

na nivou bajta

Elektronskim putem

Flash

Read-mostly

Elektronsko,

na nivou bloka

Elektronskim putem

Slika br.9 tipovi ROM memorije

2.2 ROM memorije sa fiksnim sadžajem (MASK ROM)

Logička ILI kola u integrisanim ROM memorijama se mogu realizovati

kao diodna ILI kola. Priključivanje diode između adresne linije i linije podatka
ekvivalentno je spajanju adresne linije na ulaz ILI kola. Ova memorija je
programirana da radi kao konvertor binarnog u Grejov kod.

Programiranje opisane ROM memorije se obavlja prilikom izrade

integrisanog kola. Korisnik od proizvođača naruči sadržaj memorije,
proizvođač na osnovu zahtevanog sadržaja formira masku za izradu
iintegrisanog kola sa priključenim diodama, odnosno tranzistorima na mestu

gde sadržaj treba da bude 1, odnosno 0. Zbog načina programiranja ove
memorije se nazivaju

mask-ROM

. Izrada posebne maske za svaki različiti

sadržaj ROM memorije je veoma skup proces (izrada maske košta nekoliko
hiljada dolara, a cena integrisanog kola ROM memorije nekoliko dolara), tako
da se mask-ROM koristi tamo gde su potrebe za memorijom sa istim sadržajem
najmanje nekoliko hiljada komada.

2.3 Programibilne rom memorije sa mogućnošću brisanja

U grupu programibilnih ROM memorija sa mogućnošću brisanja

spadaju EPROM, EEPROM i FLEŠ memorije. Sve tri vrste memorija kao
memorijske ćelije koriste MOS tranzistore sa izolovanim gejtom, kako je
prikazano na slici 1.6.

Slika br.10 MOS tranzistor sa izolovanim gejtom

EPROM memorije

(Erasable Programmable Read Only Memory), kao

memorijske elemente koriste MOS tranzistore sa izolovanim gejtom. Kvalitet
izolacije izolovanog gejta obezbeđuje da elektronski
tovar ostaje na gejtu više od 10 godina, čak i kada se
EPROM nalazi na temperaturi od 25

Brisanje   se   obavlja   osvetljavanjem   memorijske
matrice   ultraljubičastom   svetlošću.   Izolacioni
materijal   tada   postaje   slabo   provodan   i   elektroni
napuštaju   izolovani   gejt,   tj.   sadržaj   svih   lokacija
ponovo   postaje   nula.   Iz   tog   razloga   se   EPROM
memorije   izrađuju   u   kućištima   sa   providnim
prozorom od kvarcnog stakla, kako bi se, u cilju brisanja, mogle izložiti dejstvu
ultraljubičastog svetla.

Programibilna ROM memorija sa mogućnošću električnog brisanja-

EEPROM

(Electrically Erasable Programmable Read Only Memory), takođe

kao memorijske ćelije koristi MOS tranzistore sa izolovanim gejtom. Za upis

Slika br.11 Fotografija

EPROM memorije

ET2000

ROM memorija, kod koje je fizički i vremenski proces upisa različit od procesa
čitanja sadržaja. Naziv RAM dolazi od engleskog naziva

Random Eccess

Memory

(memorija sa slučajnim pristupom), što na neki način označava da je

vreme za upis ili čitanje nezavisno od adrese na kojoj se čitanje ili upis obavlja.
Poluprovodničke RAM memorije po pravilu, gube sadržaj kada se isključi
napon napajanja, tako da spadaju u klasu nepostojanih memorija.
Poluprovodničke memorije mogu biti

statičke

(SRAM) i

dinamičke

(DRAM).

Informacija upisana u statičku memoriju ostaje zapamćena sve dok je memorija
priključena   na   napon   napajanja.   Da   bi   informacija   ostala   zapamćenja   u
dinamičkoj   memoriji,   neophodno   je   periodično   obavljati   "osvežavanje"
memorije, inače će se informacija gubiti.  Pored navedenih SRAM i DRAM
memorija,   postoje   i   druge   vrste   RAM   memorija,   kao   na   primer,   FRAM
memorija   (

ferroelectric random access memory

). FRAM je feroelektrična

memorija sa slučajnim pristupom. Feroelektrični efekat je osobina materijala
da zadrži električnu polarizaciju i u odsustvu električnog polja, što omogućava
izradu postojećih RAM memorija koje zadržavaju sadržaj i po nestanku
napona.

Karakteristike Ram memorije

su njen

kapacitet

(obično 512MB,1GB, 2GB

i više) i

vreme pristupa

tj. vreme koje protekne između zahteva memoriji za

podatkom i dobijanje podatka iz memorije (izražava se u nanosekundama i
danas je obično od 5 do 10ns).

Brzina rada računara je direktno proporcionalna s količinom RAM
memorije.

Povećanjem RAM memorije znatno će mo ubrzati rad računara

Karakteristike savremene ram memorije :

1. Kingston KVR 512MB SDRAM 133 CL3 DIMM

Tehničke karakteristike:

Kapacitet

512 MB

Brzina rada

133 MHz

CL 3

Tip memorije

SD RAM

2. PQI DDR 2GB PC400 CL2.5 Turbo Kit

Tehničke karakteristike:

Kapacitet

2048 MB

(2 x 1024MB)

Brzina rada

400 MHz

Tip memorije

DDR

CL 2.5

3. Kingston KVR 1GB DDR2 800Mhz kit of two

Slika br.13 ram DDR2 memorije

Tehničke karakteristike:

Kapacitet

1024 MB

(2 x 512MB)

Brzina rada

800 MHz

Tip memorije

DDR II

CL 5

4. PQI DDRIII 2048MB PC1066 CL7

Slika br.14 DDR Ram 3

Tehničke karakteristike:

SDRAM

memorijski moduli imaju po dva udubljenja duž ivičnog konektora, i ukupno

168

pinova.

Na Slici br.13  je prikazana jedna ćelija bipolarne statičke RAM memorije, koja ima
jednostavan   ulaz   radi   upisa,   i   jednostavan   izlaz   radi   očitavanja   memori-sanog
podatka. Ovom memorijskom kolu može se pristupiti samo kada je pobuđen njegov
priključak X za adresiranje. Pristup ulazu i izlazu je preko istog priključka Č/U, što
znači, da se ovim priključkom obavlja i čitanje i upis. Upis informacije sa ulaza UL
vrši se kada je X = 1 i Č/U =  1. Čitanje upisanog sadržaja na izlazu vrši se kada su
X = 1 i Č/U = 0. Invertor u ćeliji omogućava upis podatka bez prethodnog brisanja
sadržaja  SR leč kola. Ovde se umesto prikazanog SR leč kola može upotrebiti i D
flip flop ili bilo koji drugi. Na istoj slici je prikazan i simbol   jedne ćelije SRAM
memorije (MC), za linearno adresiranje sa adresnim ulazom X.

Statičke RAM memorije se realizuju i u MOSFET tehnologiji, ili u CMOS

tehnologiji. Princip rada ovih memorija je isti kao i bipolarnih, ali su tehnologije
izrade, a time i karakteristike drugačije. Bipolarne memorije su brže ali znatno
manjeg kapaciteta, a najbrže se izrađuju u ECL tehnici gde vreme pristupa može biti
i manje od 10ns.

Na Slici br.14 je prikazana šema ćelije sa 6 MOSFET-ova, od kojih se prva 4

koriste kao memorijsko kolo, a MOSFET-ovi 5 i 6 služe za spregu tog kola sa vo-
dovima za podatke Z i Z komplement. Adresu ove ćelije čine dve koordinate X i Y.

Slika br. 14 Ćelija sa šest MOSFET-ova

Statičke memorije su manjeg kapaciteta po čipu, a koriste se u sistemima gde se

zahteva veća brzina pristupa memoriji i manja potrošnja struje iz izvora za
napajanje. Takođe je verovatnoća greške kod statičkih memorija manja nego kod
dinamičkih, tako da se koriste u sistemima gde se zahteva visoka pouzdanost.

Slika br.15 SRAM memorijski čip

Kako je vreme pristupa memorijskim lokcijama znato duže od brzine kojom

mikroprocesor može da obradi dobijene podatke iz memorije, zaključuje se da će
mikroprocesor   gubiti   mnogo   vremena   čekajući   da   dobije   potrebne   podatke   iz
memorije, što bi dovelo do velikog usporenja rada računara. Da bi se to sprečilo,
između   glavne   radne   memorije   koja   je   realizovana   kao   dinamički   RAM   i
mikroprocesora se postavlja manja količina znatno brže statičke RAM memorije.
Ova   memorija   se   naziva

keš memorijom

i njenim radom upravlja poseban keš

kontroler. Ovaj kontroler na osnovu podatka koji mikroprocesor traži iz memorije
pokušava da predvidi koji će sledeći podatak biti potreban mikroprocesoru, pa je
unapred, nečekajući zahtev, taj podatak očitao iz radne memorije i smestio ga u keš
memoriju. Ako je predviđanje bilo dobro, kada mikroprocesor zatraži taj podatak, on
će ga dobiti iz keš memorije, a to će biti desetak puta brže nego da ga je čekao iz
radne memorije.
Postoje dva nivoa keš memorije:

Prvi nivo, takozvani

L1 nivo

je relativno mali i on se nalazi u okviru samog

jezgra mikroprocesora i radi na njegovom unutrašnjem taktu. On obično ima dva
odvojena dela. U jednom se smeštaju instrukcije koje bi procesor trebao da izvrši, a
u drugom podaci koje bi trebao da obradi. Obično radi na istom taktu kao i sam
procesor.

Drugi nivo keš memorije

(L2 nivo)

ima znatno veću količinu memorije, smešten

je u ulazno-izlaznom delu mikroprocesora, i zavisno od konstrukcije samog
mikroprocesora može da radi i sa manjom učestanosti takta (obično polovina
učestanosti takta procesora)

Slika br.16 DRAM memorija

Za razliku od asinhronih DRAM memorija koje su se ranije koristile, a koje su
imale   asinhroni   interfejs   prema   procesoru,     noviji   modeli   računara   koriste
sinhrone DRAM memorije.   Sinhroni dinamički RAM (SDRAM) je trenutno
najznačajniji i najzastupljeniji tip memorije na tržištu. SDRAM se pokazao kao
veoma vredna tehnologija - dozvoljava efikasniju komunikaciju sa procesorom
i povećava brzinu rada na 133 MHz prilagodivši se rastu brzine sistemske
magistrale. Međutim SDRAM ne može da radi stabilno na brzinama većim od
140 MHz . Sada je razvijena   nova memorijska arhitektura koja korišćenjem
obične SDRAM tehnologije može da radi na taktovima do čak 266 MHz -
DDR   SDRAM   memorija   (DDR-   Double   Data   Rate)   Da   bi   se   prevazišla
ograničena   brzina   kojom   memorija   može   da   komunicira   sa   ostalim
komponentama,   mora   se   napraviti   memorija     koja   šalje   mnoštvo   signala   u
istom   ciklusu   takta.   Rambus   je   firma   koja   je   to   ostvarila   kroz   posebnu
memorijsku   arhitekturu   koja   se   naziva   Rambus   DRAM,   ili   skraćeno
RDRAM.Ova memorija može bez problema da radi na čak 800 MHz. Ipak,
ovaj izuzetno visok takt još uvek ne znači da je RDRAM zapravo nekoliko puta
brži od SDRAM-a. Dok SDRAM podatke šalje kroz punu 64-bitnu magistralu,
magistrala podataka kod Rambus memorije je široka samo 16 bita, što znači da
RDRAM mora da obavi četiri memorijska ciklusa da bi postigao transfer koji
SDRAM obavi u jednom ciklusu.

Slika br.17 slika prikaza DRAM memorije

2.7 Virtuelna memorija

Virtuelna memorija je tehnika koja dozvoljava izvršavanje procesa čiji

delovi  mogu  biti  smešeteni  na  sekundarnim  memorijama,  tj  diskovima.
Virtuelna  memorija  formira  apstrakciju  u  vidu  logičke  memorije,  koju čine
radna  memorija   i  sekundarna  memorija   i  razdvaja  korisničku   logičku
memoriju    od    fizičke.    Količina  raspoložive  fizičke  memorije  više  ne
ograničava  program,  pa programeri  mogu  da pišu  programe  bez  korišćenja
tehnike  preklapanja  (

overlay

). Pri tome, virtuelna memorija omogućava

izvršavanje  programa  većih  od  same  fitičke  memorije.  Koncept  virtuelne
memorije  omogućava     smeštanje  osetno  većeg  broja  procesa  u  memoriju
(konkretno delova procesa), čime se povećavaju iskorišćenje i propusna moć
procesora,  a  bez  povećanja  vremena  odziva    (

response time

) i vremena

izvršavanja (

turnaround time

). Virtuelna memorija omogućava deljenje

datoteka i memorije između različitih procesa na isti način kao i kod
deljenja stranica, što omogućava uštedu memorije i poboljšanje performansi

Učitavanje stranica po potrebi

Virtuelna memorija se najčešće realizuje tehnikom učitavanja

stranica prema potrebi (

demand paging, DP

), a mogu se upotrebljavati i

tehnike učitavanja segmenata prema potrebi (

demand segmentation

) – koja

dosta složenija –

kao i kombinovana

tehnika.

Sistem sa učitavanjem stranica prema potrebi veoma je sličan

straničenju sa razmenjivanjem (

swap

). I memorija i prostor na disku koji se

koristi za razmenjivanje izdeljeni su na stranice. Procesi su smešeteni na
disku u swap prostoru i prebacuju se u memoriju kada dođu na red za dodelu
procesora.

Prvi sistemi koji su koristili swap tehniku , prebacivali su isključivo cele

procese iz swap prostora u fizičku
memoriju i obratno. Za razliku od njih, DP sistem koristi specifičnu tehniku

Slika br.18 virtuelna memorija

U prvom slučaju, izvršavanje programa teče normalno. U drugom slučaju,
proces pristupa logičkoj stranici čija je vrednost bita validnosti i, što izaziva
prekidni signal PF (

page-fault trap

). Operativni sistem tada poziva rutinu za

opsluživanje, PF, čiji je zadatak da stranicu sa diska prebaci u
memoriju. Prebacivanje stranice sa diska u memoriju obavlja se u više
koraka :

1. referenca (load M) prouzrokovala je prekid PF, jer je prilikom čitanja

stranice u tabeli detektovan

invalid bit

2. operativni sistem poziva sistemsku rutinu za obradu, PF. Ukoliko

referenca nije validna, proces se prekida jer sadrži pogrešnu
instrukciju. Ukoliko je referenca validna, PF započine učitavanje
stranice u memoriju

3. PF rutina pronalazi stranicu na disku, u prostoru za razmenjivanje
4. PF rutina traži slobodan okvir u fizičkoj memoriji, nakon čega
prebacuje stranicu sa diska u pronađeni

slobodan okvir

5. PF rutina ažurira tabelu stranica. Na ulazu koji je napravio PF prekid,

upisuje se adresa okvira i poništava

i bit

(postavlja se

v bit

)

6. prekinuta instrukcija koja je uzorkovala PF prekid izvršava se iz

početka , s tim što sada ima sve što joj

Slika br.19 prikaz virtualne memorije

Postupak se ponavlja za svaku stranicu procesa koja nije u memoriji,
pri čemu svaki PF prekid učitava

samo jednu stranicu sa diska.

DP tehnika koja učitava stranicu u memoriju isključivo posle

referenciranja, pri čemu se svaki put prebacuje samo jedna stranica,
naziva se čista DP tehnika (

pure demand paging

). Teorijski, jedna instrukcija

bi mogla da napravi više PF prekida, ali se to retko dešava zato što se
procesi uglavnom obraćaju manjem opsegu adresa, lokalizovanim u jedom
delu memorijske mape.

Jedan od mogućih problema jeste nedostatak slobodnih okvira, tj

slobodne fizičke memorije. PF rutina tada najčešće koristi algoritam za
zamenu stranica: iz memorije se izabere jedan okvir, a stranica koja se u
njemu nalazi prebaci se na disk, čime se oslobađa fizička memorija.

2.8 Baferi

BAFERI

(buffers) su delovi RAM memorije koje neki programi

alociraju (rezervišu) za svoje potrebe.
Jedna od čestih primena je prilikom ulaza i izlaza podataka. Ako računar ne
može dovoljno brzo da obrađuje podatke koji mu pristižu on ih trenutno

Slika br.21 Kes memorija

Keš memorija radi na nivou blokova. Ako blok koji se traži nije u keš
memoriji, mora da se dovuče iz radne memorije. Kada procesor traži neki
podatak i ako traži jedan ili dva bajta, nikad se neće oni sami prenositi do keš
memorije nego ceo blok u kome se nalaze.

Tehnika preslikavanja

Za svaki sadržaj u keš memoriji mora da se vodi evidencija koji je sadržaj iz
radne memorije u keš memoriji. Taj postupak se zove mehanizam ili tehnika
preslikavanja. Postoje tri tehnike preslikavanja :



Direktno



Asocijativno



Set-asocijativno preslikavanje.

Algoritam zamene

Da bi se dovukao novi blok iz memorije mora se odrediti koji se izbacuje. Ako
radimo upis u neki od blokova, koje smo dovukli iz memorije i onda moramo
da ažuriramo radnu memoriju, pre nego što taj blok izbacimo iz keša. Postoje
tri algoritma zamene:



LRU - Least Recently Used, koji izbacuje onaj blok kojem nije skoro
pristupano, što podrazumeva postojanje logike za vođenje evidencije,
setovanje odgovarajućih LRU bita pri svakom pristupu kešu



Random, kojim se slučajno bira blok koji se izbacuje da bi se oslobodilo
mesto za novi blok, nema logike za vođenje evidencije, jednostavnost i
veća brzina



FIFO - First IN First OUT, koji izbacuje blok koji je najduže u keš
memoriji, jednostavan za realizaciju

Ažuriranje radne memorije

Najčešće se koriste dva načina ažuriranja radne memorije:
WRITE-BACK



upisuje se samo u keš memoriju, a posle se vraćaju blokovi u
radnu memoriju



prednost je da nema čestog pristupa radnoj memoriji, radnoj
memoriji se pristupa samo kada se blok izbacuje iz ke š memorije



mana je što nema ažurnosti sadržaja



mora se prvo vratiti neki blok pre nego što se dovuče novi

WRITE-THROUGH



upis i u keš i u radnu memoriju



prednost je istovremena ažurnost i u kešu i u radnoj memoriji



prednost je i primena kod više procesorskih platformi



mana je pristup radnoj memoriji svaki put kada ima upisa

Ako se traženi podatak nalazi u keš memoriji, kaže se da je došlo do pogotka
keša (Cache Hit). Ako se traženi podatak ne nalazi u keš memoriji došlo je do
promašaja (Cache Miss) i u tom slučaju, dovlači se podatak iz radne memorije.
Ako je potrebno keš kontroler može da postavi READY signal procesoru. Keš
se projektuje tako da ima preko 90% pogodaka.

3.Literatura



www.google.rs



www.wikipedia.com