Visoko-frekventne komponente i RF oscilatori
Univerzitet u Prištini
Fakultet tehničkih nauka
Kosovska Mitrovica
Seminarski rad
Predmet: RF elektronika
Tema:
Visoko-frekventne komponente i RF
oscilatori
Mentor:
Student:
dr. Anđelija Raičević Dušan Simijonović
2
Sadržaj
2.1. Ekvivalentne šeme i modeli visoko frekventnih tranzistora
.........................................................4
2.2. Y parametri aktivnih elemenata
2.4. Model tranzistora za male signale – hibridni – pi model
..............................................................7
2.5.1 Prenos signala na visokim frekvencijama
...............................................................................8
3.1. Oscilatori sa negativnom otpornošću
............................................................................................9
3.2. Oscilatori sa pozitivnom povratnom spregom
..............................................................................9
RF elektronika

4
2. VF komponente
2.1. Ekvivalentne šeme i modeli visoko frekventnih tranzistora.
Od kada je tranzistor nastao, postoji težnja da se na što bolji način opišu njegove
karakteristike pomoću ekvivalentnih šema i modela. Ekvivalentna šema ili model obezbeđuje
da se mogu izračunavati karakteristike aktivnog elementa u frekventnom domenu za bilo koju
frekvenciju, kao i njegove karakteristike u vremenskom domenu. Ekvivalentna šema pruža
mogućnost da se izračuna bilo koji parametar (
y, g, h
) pri bilo kojoj frekvenciji.
Ekvivalentna šema tranzistora može biti trojaka: prirodna, fizička i matematička,
zavisno od postupaka i osnovnih pretpostavki prilikom izvođenja. Kao što je poznato, prirodna
ekvivalentna šema se dobija iz jednačine kontinuiteta, fizička na osnovu teorije električnog
tovara u području baze i matematička koju kao rezultat daje Ebers-Mollov model.
Mada su ekvivalentne šeme privlačne za analizu pomodu računara, njihov osnovni
nedostatak je odstupanje od stvarnih karakteristika aktivnog elementa, naročito u VHF i UHF
području. Međutim, one se ipak uspešno mogu koristiti u analizi stabilnosti pojačavača kao i u
iznalaženju njegovih karakteristika u vremenskom i frekventnom domenu, posebno kod
širokopojasnih primena i u sličnim integrisanim kolima. Visokofrekventne aktivne
komponente obično se opisuju pomoću kompleksnih admitanih (
y
) ili sketering (
s
) parametara,
na osnovu njihovih izmerenih vrednosti.
Do frekvencije od 200MHz-a najlakše se mere
y
parametri, pa se oni najčešće koriste
u analizi visokofrekventnih (VF) pojačavača. Iznad te frekvencije teško je fizički ostvariti
kratak spoj ili otvorenu vezu, što je neophodno u tehnici merenja
y
parametara, pa se pri všim
frekvencijama mere
s
parametri.
U oblasti visokih frekvencija najlakše se mogu izmeriti
s
parametri tranzistora, pa se
stoga za proveru uspešnosti modela upoređuju merenjem dobijeni s parametri sa onim koji se
dobijaju na osnovu modela. Uplivom kompijutera u sve tokove nauke, mnogi pristupi su se
promenili i u ovoj problematici, tako da je većina novih modela zasnovana na numeričkom
pristupu.
RF elektronika
Ovaj materijal je namenjen za učenje i pripremu, ne za predaju.
Slični dokumenti