Univerzitet u Prištini

Fakultet tehničkih nauka

Kosovska Mitrovica

Seminarski rad

Predmet: RF elektronika

Tema: 

Visoko-frekventne komponente i RF 

oscilatori

Mentor:

                                                                                                                      

Student:

dr. Anđelija Raičević                                                               Dušan Simijonović

2

Sadržaj

1. Uvod

.....................................................................................................................................................3

2. VF komponente

....................................................................................................................................4

2.1. Ekvivalentne šeme i modeli visoko frekventnih tranzistora

.........................................................4

2.2. Y parametri aktivnih elemenata

....................................................................................................5

2.3. Hibridna pi šema

...........................................................................................................................6

2.4. Model tranzistora za male signale – hibridni – pi model

..............................................................7

2.5. S parametri

....................................................................................................................................8

2.5.1 Prenos signala na visokim frekvencijama

...............................................................................8

3. RF oscilatori

.........................................................................................................................................9

3.1. Oscilatori sa negativnom otpornošću

............................................................................................9

3.2. Oscilatori sa pozitivnom povratnom spregom

..............................................................................9

3.2.1. Hartlejev oscilator

................................................................................................................10

3.2.2. Kolpicov oscilator

................................................................................................................10

3.2.3. Pirsov oscilator

....................................................................................................................11

4. RING oscilator

...................................................................................................................................12

5. Zaključak

...........................................................................................................................................13

6. Literatura

............................................................................................................................................14

RF elektronika

background image

4

2. VF komponente

2.1. Ekvivalentne šeme i modeli visoko frekventnih tranzistora.

 Od kada je tranzistor nastao, postoji težnja da se na što bolji način opišu njegove 

karakteristike pomoću ekvivalentnih šema i modela. Ekvivalentna šema ili model obezbeđuje 
da se mogu izračunavati karakteristike aktivnog elementa u frekventnom domenu za bilo koju 
frekvenciju, kao i njegove karakteristike u vremenskom domenu. Ekvivalentna šema pruža 
mogućnost da se izračuna bilo koji parametar (

y, g, h

) pri bilo kojoj frekvenciji. 

Ekvivalentna šema tranzistora može biti trojaka: prirodna, fizička i matematička, 

zavisno od postupaka i osnovnih pretpostavki prilikom izvođenja. Kao što je poznato, prirodna 
ekvivalentna šema se dobija iz jednačine kontinuiteta, fizička na osnovu teorije električnog 
tovara u području baze i matematička koju kao rezultat daje Ebers-Mollov model. 

Mada su ekvivalentne šeme privlačne za analizu pomodu računara, njihov osnovni 

nedostatak je odstupanje od stvarnih karakteristika aktivnog elementa, naročito u VHF i UHF 
području. Međutim, one se ipak uspešno mogu koristiti u analizi stabilnosti pojačavača kao i u 
iznalaženju   njegovih   karakteristika   u   vremenskom   i   frekventnom   domenu,   posebno   kod 
širokopojasnih   primena   i   u   sličnim   integrisanim   kolima.   Visokofrekventne   aktivne 
komponente obično se opisuju pomoću kompleksnih admitanih (

y

) ili sketering (

s

) parametara, 

na osnovu njihovih izmerenih vrednosti.

Do frekvencije od 200MHz-a najlakše se mere 

parametri, pa se oni najčešće koriste 

u analizi visokofrekventnih (VF) pojačavača. Iznad te frekvencije teško je fizički ostvariti 
kratak spoj ili otvorenu vezu, što je neophodno u tehnici merenja 

y

 parametara, pa se pri všim 

frekvencijama mere 

s

 parametri.

U oblasti visokih frekvencija najlakše se mogu izmeriti 

s

 parametri tranzistora, pa se 

stoga za proveru uspešnosti modela upoređuju merenjem dobijeni s parametri sa onim koji se 
dobijaju na osnovu modela. Uplivom kompijutera u sve tokove nauke, mnogi pristupi su se 
promenili i u ovoj problematici, tako da je većina novih modela zasnovana na numeričkom 
pristupu.

RF elektronika

Želiš da pročitaš svih 14 strana?

Prijavi se i preuzmi ceo dokument.

Ovaj materijal je namenjen za učenje i pripremu, ne za predaju.

Slični dokumenti