Flash memorija
Prva tehnička škola u Kragujevcu
SEMINARSKI RAD IZ NASTAVNOG PREDMETA
RAČUNARSTVO I INFORMATIKA
TEMA: FLASH MEMORIJA
Predmetni profesor: Učenik:
Zoran Sretenović Stefan Cvijović
Smer: Administrator
računarskih mreža, I-5E
Kragujevac,
Maj 2019. godin
Sadržaj
Uvod 1
1.Istorija flash memorije
2
2.Princip rada flash memorije 3
3.Karakteristike flash memorije5
3.1.Brzina flash memorije
6
4.USB Flash Drive
7
4.1.Karakteristike USB Flash Drive-a 7
4.2.Kapacitet flash memorije 8
5.Oštećenje podataka na flash memoriji
9
Zaključak
10
Literatura
11

2
1. Istorija flash memorije
Intel je bila prva kompanija koja je proizvela fleš memoriju i dovela je na tržište. Ova
grupacija je 1988. godine lansirala 256-bitni fleš čip veličine kao kutija za cipele. Intel je
prikazao prednosti „ugradjene memorije“ koristeći jedan od starih magnetofona.
Od svog nastanka 1980-ih godina, fleš memorija se razvila u višenamensko i praktično
rešenje za smeštanje podataka. Postoji više njenih različitih primena. NILI(NOR) fleš memorija
optimizovana za primene masovnih memorija je najčešći njen oblik. Na primer, operativni
sistemi digitalnih kamera ili mobilnih telefona su smesteni u jedinicama NOR fleš memorija.
NOR fleš memorija se adresuje linearno pomoću uobičajenog procesora, te se stoga služi za
dostavljanje izvršnog koda.
Druga vrsta fleš memorije je NAND fleš, pronađen je 1989. godine u kompaniji Toshiba i
ispostavilo se da je jeftinija i brža altrnativa od NOR fleša. Toshiba je takođe bila prva
kompanija koja je koristila naziv (FLASH).
Dr. Masuoka je dizajnirao prve flash memorije u
laboratorijama Toshibe početkom osamedesetih godina prošlog veka, a anegdota kaže da je ime
“flash” poteklo od kolege Shoji Arziumija koga je proces brisanja memorije asocirao na blic sa
kamere ili fotoaparata.
U poređenju NOR, NAND tehnologija je ponudila deset puta veći broj
ciklusa upisivanja, i veće brzine za skladištenje i brisanje podataka. Memorijske ćelije u NAND
memoriji su mnogo manje od onih u NOR memoriji. To za rezultat ima manju cenu NAND
memorije. Manje dimenzije ćelije omogućavaju da na datom prostoru ima veći kapacitet, što
istovremeno znači i manju cenu za kupca i veću dobit za proizvođača. Podrška memorijskog
kontrolera je veća i složenija, a standardni procesori zahtevaju posedovanje rutina za prevođenje,
što im omogućava da upisuju i čitaju sa NAND fleš memorije. Aktuelne NAND memorije
omogućavaju brzinu čitanja podataka od 40 MB/s, odnosno upisivanja od 20 MB/s. Nove NAND
memoriju omogućavaju brzinu čitanja podataka od 200 megabajta po sekundi (MB/s), odnosno
upisivanja 100 MB/s.
Proizvođači NAND čipova su Samsung, Toshiba, Hyunix, Intel, SanDisk.
Kod NAND memorije se dalje mogu razlikovati SLC i MLC arhitekture (Single-Level-Cell i
Multi-Level-Cell – ćelije sa jednim ili više nivoa). Pojam nivoa je ovde pre logički nego fizički.
Jedna MLC ćelija nudi 2 bita i četiri moguća stanja za skladištenje podataka: izbrisani (prazno),
jedna trećina , dve trećine, potpuno programirano. Sa druge strane, SLC nudi samo 1 bit i dva
stanja za svaku memorijsku ćeliju. Ona je jednostavnija, brza i isto tako štedi struju. Takođe,
veći utrošak energije potrebne za rad sa bitovima u paru dovodi do bržeg smanjivanja slojeva
oksida između pojedinačnih memorijiskih ćelija. Zbog toga MLC može da postigne samo 10000
ciklusa upisivanja.
http://www.zastitapodataka.com/25-godina-od-komerijalizacije-nand-flash-memorije/
Ovaj materijal je namenjen za učenje i pripremu, ne za predaju.
Slični dokumenti