Гимназија Петар Кочић
Доситеја Обрадовића 6
Нови Град
Матурски рад из базa података
FLASH
МЕМОРИЈА
Ментор:
Ученик:
Момир Вујановић, проф.
Мирко Рајилић, IV
5
Нови Град, мај 2013.
Flash
меморија
Мирко Рајилић, IV-5
2. ПРИНЦИП РАДА
FLASH
МЕМОРИЈЕ
Flash
меморија смјешта информације у редове
FTG-a (Floating Gate Transistors)
који се
називају „ћелијама“, и сваки од њих смјешта један бит информације. Уређаји новијих
генерација, могу да смјесте више од једног бита информација по ћелији, користећи
више од два нивоа електричног пуњења и свака следећа информација је смјештена на
„лебдећем“ улазу ћелија. Код
Flash
–а свака ћелија изгледа слично, као и ћелиjа
стандардног
MOSFET-a (Metal Oxide Semiconductor Field-Efect Transistor)
, осим што
има два улаза умјесто једног. Један улаз
(gate),
као и код осталих
МОЅ
транзистора је
контролни улаз
(CG)
, а други је лебдећи улаз
(FG)
који је изолован једним оксидним
слојем који се налази свуда око њега. Лебдећи улаз се налази између контролног улаза
и подлоге. Пошто је лебдећи улаз изолован његовим оксидним слојем, било који
електрон који се нађе на њему остаје заробљен ту и на тај начин смјешта информацију.
Када се електрон налази на лебдећем улазу, они модификују (дјелимично прекидају)
електрично поље које се јавља са контролног улаза, што модификује напонски инпулс
(Vt)
ћелије. На тај начин када је ћелија ,,очитана“ постављањем одређеног напонског
импулса на контролном улазу, тренутно електрично стање ће или протицати или неће
протицати, у зависности од напонског импулса
(vt)
ћелије, који је контролисан од
стране броја електрона на лебдећем улазу. Ово присуство или одсуство тренутног
електричног стања је детектовано и преведено у нуле (0) и јединице (1), репродукујући
тако смјештени податак. У уређајимa који смијештавају више од једног бита
информација по ћелији
(тзв. multi-level cell device)
, количина тренутног протицање ће
бити детектована, да би се утврдио број електрона смијештених на лебдећем улазу.
Да би меморијска ћелија била програмирана,
flash
контрола доводи до кратког
напонског импулса. Ово окида лавински пробој у меморијском транзистору који пуни
лебдећи улаз
(тзв. hot-electron injection)
. На овај начин, 1-Мобипни чип
flash
меморије
може бити програмиран за двије секунде за разлику од нормалних
EEPROM
-oвa,
међутим, брисање чипа се извршава истовремено. Током брисања контрола
flash
меморије користи тренутно пребацивање брисања за слање импулса у цијело поље
меморијске ћелије, па се бришу све меморијске ћелије. Вријеме брисања за цијелу
flash
меморију је око једне секунде.
Централни дио
flash
меморије је матрица меморијских ћелија. Ћелије су адресиране
батфером адресе, који прима сигнале адресе и преноси их до сектора редова и колона,
2
Flash
меморија
Мирко Рајилић, IV-5
наизмјенично.
Flash
меморија слична
SRAM
чиповима, не извршавају мултиплексирање
адресе.
Декодери редова и колона селектују једну линију ријечи и један или више парова
битских линија, као и у уобичајеном меморијском чипу. Читљиви податак излази преко
улазно/излазног бафера података или се уписује у адресирану меморијску ћелију овим
бафером преко улазно/излазних јединица.
Процеси очитавања, брисања и порграмирања се контролишу двобајтним
инструкцијама, које екстерни микропроцесор уписује у регистар инструкција
flash
контроле.
2.1. Инструкције за типичну флес меморију
- читање меморије
(Read Memory)
:
flash
меморија обезбјеђује податке преко пинова
података.
- очитавање идентификатора меморије
(Red Identifier Code)
:
flash
меморија обезбјеђује
код над пиновима података, који означавају врсту и верзију чипа.
- подешавање брисања/брисање
(Set-up Erase/Erase)
: припрема
flash
меморију за процес
извршавања брисања.
- брисање – потврђивање
(Erase-Verify)
: брише све меморијске ћелије и потврђује овај
процес.
- подешавање програмирања/програмирање
(Set-up Program/Program)
: припрема
програмирање појединачних меморијских ћелија и извршава ова процес.
- регистровање
(Reset)
: ресетује
flash
меморију у дефинисано почетно стање.
3
